男，国家级高层次人才，IEEE/IET/AAIA Fellow, 美国佛罗里达大学电子工程专业博士, 山东科技大学全职特聘教授，博士生导师。每年招收1-2名博士研究生，3-4名硕士研究生。
研究方向：
集成电路可靠性设计、仿真与建模研究。
代表性成果：
发表SCI/EI检索论文600余篇，SCI他引8700余次，h-index为40，出版专著13部，授权美国及中国发明专利30余项。
[1] Juin J. Liou, Martin Ziegler, Frank Schwierz; Gigahertz and terahertz transistors for 5G, 6G, and beyond mobile communication systems. Appl. Phys. Rev. 1 September 2024; 11 (3): 031318.
[2] Jiang, J., Yang, P., Liou, J.J. et al. Defect engineering of two-dimensional materials towards next-generation electronics and optoelectronics. Nano Res. 16, 3104–3124 (2023).
[3] Y. Yan, W. Lan, Y. Chen, D. Yang, Y. Zhou, Z. H. Zhu, J. J. Liou, Reliability Issues of Thin Film Transistors Subject to Electrostatic Discharge Stresses: An Overview. Adv. Electron. Mater. 2022, 8, 2100886.
[4] 甘正浩、黄威森、刘俊杰，《半导体工艺可靠性》，机械工业出版社
[5] 韩雁、董树荣、刘俊杰，《集成电路ESD防护设计理论、方法与实践》，科学出版社.
[6] 刘俊杰; 宋文强; 何青松;可控硅整流器,2022-9-13,CN, CN115050734A.
[7] 刘俊杰; 杜飞波; 何青松;双向可控硅整流器,2022-08-30,CN, CN114975420A.
获奖情况：
相关成果突破可控硅ESD防护器件关键技术瓶颈，曾获IEEE Electron Devices Society教育奖、IEEE Joseph M. Biedenbach杰出工程教育家奖、IEEE Electron Devices Society杰出讲座奖、IEEE电子器件学会杰出贡献奖等重要荣誉，担任IEEE Electron Devices Society副主席、《Microelectronics Reliability》主编，以及IEEE EDSSC、IPFA、ISNE、IEDMS等多个国际会议荣誉大会主席，并获得4项IEEE国际会议杰出贡献奖。
主持/参与代表性科研项目：
近年来，承担国家自然科学基金面上项目，承担美国联邦机构、州政府及国内知名企业科研项目累计超1400万美元。
联系方式：juin.liou@hotmail.com；zhaorikang@sdust.edu.cn
